小尺寸MOSFET隧穿电流解析模型

陈卫兵; 徐静平; 邹晓; 李艳萍; 许胜国; 胡致富物理学报 2006年第10期

摘要：基于表面势解析模型，通过将多子带等效为单子带，建立了耗尽／反型状态下小尺寸MOSFET直接隧穿栅电流解析模型．模拟结果与自洽解及实验结果均符合较好，表明此模型不仅可用于SiO2、也可用于高介电常数（k）材料作为栅介质以及叠层栅介质结构MOSFET栅极漏电特性的模拟分析，计算时间较自洽解方法大大缩短，适用于MOS器件电路模拟。

关键词：隧穿电流 mosfet 量子机理解析模型