摘要：采用电阻率为10000-20000Ω·cm的高阻单晶硅材料，研制成功灵敏区尺寸为φ60mm，耗尽层厚度-1000μm的大面积厚PIN半导体探测器．设计了该类探测器厚度测量专用的反冲质子测量系统，对探测器的时间响应、γ灵敏度、漏电流、γ／n分辨等物理参数进行了测量和分析，结果表明，这类探测器可满足低强度裂变n/γ混合场中脉冲γ强度测量的需要．

关键词：大面积 电流型 半导体探测器 强度测量 

单位：清华大学工程物理系; 北京100084; 西北核技术研究所; 西安710024; 复旦大学现代物理研究所; 上海200433; 中国工程物理研究院电子学研究所; 绵阳621900