摘要：不同电荷态低速离子（Ar^q＋，Pb^q＋）轰击Si（110）晶面，测量不同入射角情况下的次级粒子的产额．通过比较溅射产额与入射角的关系，证实沟道效应的存在．高电荷态离子与甾相互作用产生的沟道效应说明溅射产额主要是由动能碰撞引起的．在小角入射条件下，高电荷态离子能够增大溅射产额．当高电荷态离子以40^o-50^o入射时，存在势能越高溅射产额越大的势能效应．
关键词：高电荷态离子 溅射 沟道效应
单位：兰州大学核科学与技术学院 兰州730000 中国科学院近代物理研究所 兰州730000
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