摘要：氮团簇离子N10^＋注入单晶硅直接诱发其表层转化为纳米晶结构，导致光学性质发生显著变化．在250-320nm波段的紫外光激励下，在330-500nm光区出现明显的光发射带，并在360nm附近产生强度极高、单色性良好的发射峰，其强度达到N^＋注入试样或基底的5倍，是时注入试样的1．5倍．在可见光区的730nm附近和近红外区的830nm附近也出现发光带．所有上述发光都非常稳定，可长时间保持其发光效率不变．这表明注入层已形成一种品质优良的光致发光材料．

关键词：光致发光 团簇离子注入 硅单晶 纳米晶结构 

单位：四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室 成都610064 四川师范大学物理与电子工程学院 成都610066