摘要：以N2/H2、N2或NH3为载气,利用碳辅助化学气相沉积法,常压1140℃下在石英衬底上制备了大量直径为20—300nm,长数百微米的非晶SiOx纳米线.制备得到的纳米线具有高度定向生长的特性.利用透射电子显微镜、扫描电子显微镜及电子能谱对SiOx纳米线的形貌及组分进行了分析,Si与O原子之比为1∶1.8.傅里叶红外吸收谱显示了非晶氧化硅的三个特征峰（482,806和1095cm^-1）及1132cm^-1无序氧化硅结构的强吸收峰.SiOx纳米线光致发光光谱（PL）在440nm（2.83eV）处具有较强的荧光峰;N2为载气生长的SiOx纳米线的PL峰强比NH3为载气生长的SiOx纳米线峰强大四个数量级.

关键词：siox纳米线 碳辅助化学气相沉积法 傅里叶红外吸收 光致发光 

单位：泰山学院物理与电子科学系 泰安271021 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南250100 山东大学化学与化工学院 济南250100