摘要：运用第一性原理研究了Mg-Sb合金中典型沉淀相α-Mg3sb2的几何、电子结构和力学性能．结构优化得到的晶格常数和形成能与实验值符合很好．电子结构分析表明，具有半导体性质的α-Mg3sb2带隙为0．303eV，是间接带隙半导体．通过计算得到了α-Mg3sb2的弹性常数，进而得到模量、泊松比等力学参数，对力学参数进行分析发现，α—MgoSb2有很好的延展性而塑性相对较差．通过对α-Mg3sb2施加应变前后态密度的变化分析，发现对于六角结构的α-MgoSh2，与剪切模量相关的C11＋C12,C33/2和与体模量相关的C11＋C12＋2C13＋C33／2对体积变化不保守，而（C11-C12）／4和C44对体积变化保守．

关键词：第一性原理 电子结构 力学性能 

单位：湘潭大学材料与光电物理学院 低维材料及其应用技术教育部重点实验室 湘潭411105 广西大学化学与化工学院 南宁530004 上海交通大学材料科学与技术学院 轻合金精密成型国家工程研究中心 上海200030