摘要：吸收层、电荷层和倍增层分离结构雪崩光电二极管（SACM-APD），包括InP／InGaAs、InAlAs／InGaAs和Si／GeAPD是光通信领域近年来研究的热点．本文基于电路模型，系统比较了不同外延层厚度、不同材料以及不同结构APD的频率响应特性，重点探讨Si／GeAPD吸收层厚度、光敏面大小、寄生参数等各项参数对带宽的影响，仿真结果与实际器件实验数据相符合．本文的研究成果对SACM—APD的优化设计具有指导意义．

关键词：电路模型 频率响应 

单位：华中科技大学光电子科学与工程学院 武汉光电国家实验室 武汉430074