摘要：对Ge原子采用6-311＋＋G＊＊基函数,Te和Se原子采用SDB-cc-pVTZ基函数,利用密度泛函理论的局域自旋密度近似方法优化得到了GeTe和GeSe分子的稳定构型,并计算了外电场作用下GeTe和GeSe基态分子的平衡核间距、总能量、最高已占据分子轨道能量EH、最低未占分子轨道能量EL、能隙、谐振频率和红外谱强度.在上述计算的基础上利用单激发组态相互作用-局域自旋密度近似方法研究了GeTe和GeSe分子在外电场下的激发特性.结果表明：随着正向电场强度的增大,分子核间距逐渐增大,分子总能量逐渐降低,谐振频率逐渐减小,红外谱强度则逐渐增大.在0—2.0569×1010V·m-1的电场范围内,GeTe分子的EH均高于GeSe分子的EH;随着正向电场的增大,GeTe与GeSe的EH差逐渐变大,GeTe的EL低于GeSe的EL,它们的EL均随正向电场的增大而增大.无外场时,GeTe分子的能隙比GeSe分子的能隙要小;在外电场反向增大的过程中,GeTe和GeSe的分子能隙始终减小.外电场的大小和方向对GeTe和GeSe分子的激发能、振子强度及跃迁的波长均有较大影响.

关键词：gete gese 外电场 激发态 

单位：四川大学原子与分子物理研究所 成都610065 宜宾学院计算物理实验室 宜宾644000