摘要：利用第一性原理的计算方法,研究了A-Z-A型GNR-FET的电子结构和输运性质及其分子吸附效应.得到了以下结论：纯净的A-Z-A型GNR-FET具有典型的双极型晶体管特性,吸附分子的存在会使纳米带能隙变小.对于吸附H,H_2,H_2O,N_2,NO,NO_2,O_2,CO_2和SO_2分子的情况,A-Z-A型GNR-FET仍然保持着场效应晶体管的基本特征,但吸附不同类型的分子会使GNR-FET的输运特性发生不同程度的改变;对于吸附OH分子的情况,输运特性发生了本质的改变,完全不具有场效应晶体管的特性.这些研究结果将有助于石墨烯气体探测器的工程实现,并对应用于不同环境中GNR-FET的设计具有重要指导意义.

关键词：石墨烯纳米带 石墨烯晶体管 分子吸附 电子结构 

单位：国防科技大学计算机学院 长沙410073