摘要：本文采用Particle-in-cell数值方法模拟研究了不同强度外磁场条件下的次级电子倍增效应过程,分析了外磁场对次级电子倍增效应的影响.结果表明,当外磁场达到一定强度时,次级电子倍增效应在微波传输的一半时间内被抑制.通过外磁场抑制,在理想条件下可以使介质窗的微波传输功率容量提高4倍以上.

关键词：次级电子倍增 外磁场 介质表面击穿 数值模拟 

单位：西北核技术研究所 西安710024 西安交通大学电子与信息工程学院 西安710049