摘要：对多元ZnO压敏陶瓷电阻片进行了多达14000次的大电流冲击老化试验,通过显微结构、电气性能及介电特性的测量对其缺陷结构进行了表征,并研究了缺陷结构与大电流冲击老化之间的关系.试验表明多次大电流冲击老化导致试样的电气性能明显下降,发现ZnO压敏陶瓷的几何效应不仅受控于晶粒还与晶界密切相关.另外,通过介电谱分析观察到ZnO压敏陶瓷存在四种缺陷弛豫过程,低温-60℃下的两个缺陷弛豫峰激活能约为0.24 eV和0.35 eV,认为它们分别对应着本征的锌填隙缺陷L（Zni¨）和氧空位缺陷L（Vo＇）并且不受冲击老化的影响.高温80℃以上两个松弛峰的活化能约为0.71 eV和0.84 eV,认为它们分别对应着非本征的晶间相电子陷阱L（ingr）和晶界处界面态陷阱L（gb）.发现大电流冲击后,仅界面态陷阱激活能从0.84 eV降低到0.76 eV,认为界面态陷阱主要控制着ZnO压敏陶瓷的电气性能和稳定性.

关键词：zno压敏陶瓷 缺陷结构 冲击老化 压敏电压 

单位：西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室 西安710049