摘要：材料的载流子浓度和迁移率是影响器件性能的关键因素，变温Hall测试结果证明杂质掺杂AlGaN中的载流子浓度和迁移率随温度降低而减小．然而极化诱导掺杂的载流子浓度和迁移率不受温度变化的影响．以准绝缘的GaN体材料作为衬底，在组分分层渐变的AlGaN中实现的极化诱导掺杂浓度仅仅在10^17 cm^-3数量级甚至更低．本研究采用载流子浓度为10^-16 cm^-3量级的非有意n型掺杂GaN模板为衬底，用极化诱导掺杂技术在分子束外延生长的AlGaN薄膜材料中实现了高达10^20cm^-3量级的超高电子浓度．准绝缘的体材GaN半导体作衬底时，只有表面自由电子作为极化掺杂源，而非有意掺杂的GaN模板衬底除了提供表面自由电子外，还能为极化电场提供更多的自由电子“源”，从而实现超高载流子浓度的n型掺杂．

关键词：超高电子浓度 极化诱导掺杂 线性渐变 algan膜 

单位：电子科技大学光电信息学院 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都610054