摘要：提出了一种新型十字环型左手材料结构单元．该结构只需在介质板单侧蚀刻，即可在二维方向上产生等效负介电常数和等效负磁导率．通过理论分析，提出场．路结合的等效源分析法以计算等效介电常数、磁导率，并据此对十字环型结构单元的左手特性激发机理进行了论证．后采用Nicolson—Ross—Weir等效参数法提取了十字环型单元阵列的相对介电常数和相对磁导率，并通过棱镜实验对材料的负折射特性进行了验证．实验表明，该左手材料在6．8—6．9GHz频段具有二维入射左手特性．此种左手材料制作工艺相对简单，为左手材料在微波器件领域的应用提供了一种较为实用的设计方案．

关键词：左手材料 二维 十字环 

单位：北京邮电大学电子工程学院 安全生产智能监控北京市重点实验室 北京100876