摘要：利用表面光子晶体能大幅提高发光二极管（LED）的外量子效率,但如何制备大面积的纳米光子晶体是该研究方向的主要难点之一.本文基于纳米压印技术在氮化镓基发光二极管（GaN-LED）表面制作孔状二维光子晶体.通过以金属和聚合物双层掩膜干法刻蚀法,得到了很好的光子晶体图形转移效果.最终在LED的p-GaN层表面获得了大面积光子晶体,周期为450 nm,纳米孔直径为240 nm.器件测试结果显示,有表面光子晶体的LED比没有光子晶体的LED,光致发光强度峰值提高到了7.2倍.

关键词：光子晶体 纳米压印 发光二极管 

单位：武汉科技大学理学院 武汉430081 华中科技大学光学与电子信息学院.武汉430074