摘要：研究了0.8μm SOINMOS晶体管,经过剂量率为50 rad （Si）/s的60Coγ射线辐照后的输出特性曲线的变化趋势.研究结果表明,经过制造工艺和版图的优化设计,在不同剂量条件下,该样品均不产生线性区kink效应.由碰撞电离引起的kink效应,出现显著变化的漏极电压随总剂量水平的提高不断增大.在高剂量辐照条件下,背栅ID-VSUB曲线中出现异常的“kink”现象,这是由辐照诱生的顶层硅膜/埋氧层之间的界面陷阱电荷导致的.

关键词：总剂量效应 kink效应 碰撞电离 背栅异常跨导 

单位：西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071