摘要：利用高分辨率x射线衍射（HRXRD）对MOCVD系统中生长在C面AlO2O3上的不同厚度的GaN薄膜内马赛克结构进行了研究．在对称面的三轴x射线衍射曲线中，用两种方法计算得到晶粒的垂直关联长度和水平关联长度，两者均随着薄膜厚度的增加而增加，并且垂直关联长度近似膜厚从倒易空间图中得出的横向关联长度也有相同的趋势，结合非对称面的衍射曲线用Williamson—Hall方法和外推法分别拟合出晶粒的面外倾斜角和面内扭转角，他们随着薄膜厚度的增加显著减少，这一切都表明厚度的增加，晶粒的单向有序排列越来越整齐，外延片的质量越来越高．

关键词：gan薄膜马赛克结构 厚度 hrxrd 

单位：南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室 南京210093