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硅团簇自旋电子器件的理论研究

黄耀清 郝成红 郑继明 任兆玉 物理学报 2013年第08期

摘要:利用过渡金属掺杂的硅基团簇,构建了一种自旋分子结;并利用第一性原理方法,对其电子自旋极化输运性质进行了研究.计算表明,通过过渡金属掺杂可以有效地产生自旋极化电流,磁性金属Fe和非磁性金属Cr和Mn掺杂的体系呈现出较明显的自旋极化透射现象,但分子结的自旋极化输运能力与团簇孤立状态下的磁矩无一致性.从Sc到Ni的掺杂,体系的自旋极化透射能力先增大后迅速减小,在Fe掺杂的Si12团簇中出现最大值.

关键词:硅团簇自旋极化输运密度泛函理论非平衡格林函数

单位:上海应用技术学院理学院 上海201418 西北大学光子学与光子技术研究所 西安710069

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