摘要：采用脉冲电沉积方法制备出高致密、高质量的纳米晶Ni,并对其密度、组织成分和微观结构进行了表征.利用高能粒子加速器产生的1 MeV高能电子为辐照源,研究高能电子在纳米晶Ni和常规粗晶Ni中的能量损失.通过辐照过程中放置的吸收剂量片来准确表征其电子的能量沉积.结果表明,晶粒尺寸对高能电子在材料中的能量沉积有明显的影响, 1 MeV电子在穿过一定厚度的金属Ni后,在晶粒尺寸细小的纳米晶Ni中测得总的吸收剂量较大,证明了高能电子在纳米材料中的总能量沉积较小,从而表现出纳米材料抗辐照的优异性能.

关键词：高能电子 纳米金属 辐射损伤 

单位：哈尔滨工业大学材料科学与工程学院 哈尔滨150001