摘要：对于硅薄膜太阳电池来说,无论是PIN型还是NIP型太阳电池,采用绒面陷光结构来提高入射光的有效利用率是提高太阳电池效率的重要方法之一.本文采用标度相干理论对PIN和NIP型电池的绒面结构的陷光性能进行了数值模拟.结果表明：PIN电池中前电极和NIP电池中背电极衬底粗糙度分别为160和40nm时可获得理想的陷光效果;在不同粗糙度背电极衬底上制备a-SiGe：H电池发现,使用40和61.5nm背电极可获得相当的短路电流密度,理论分析和实验得到了一致的结果.

关键词：陷光结构 光散射能力 标量相干理论 硅基薄膜太阳电池 

单位：南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 光电信息技术科学教育部重点实验室 天津300071