摘要：高压下对InSe样品进行原位电阻率和霍尔效应测量.电阻率测量结果显示,样品在5—6GPa区间呈现金属特性,在12GPa的压力下发生由斜六方体层状结构到立方岩盐矿的结构相变,且具有金属特性.霍尔效应测量结果显示,样品在6.6GPa由p型半导体转变成n型半导体,电阻率随着压力的升高而逐渐下降是由于载流子浓度升高引起的.

关键词：inse 高压 电阻率 霍尔效应 

单位：延边大学理学院 延吉133002 吉林大学 超硬材料国家重点实验室 长春130012