摘要：基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了含B原子空位（VB）, N原子空位（VN）,以及含B？N键空位（VB＋N ）缺陷的二维氮化硼（h-BN）的电子和磁性质.在微观结构上, VB体系表现为在空位附近的N原子重构成等腰三角形, VN体系靠近空穴的B原子形成等边三角形, VB＋N体系靠近空穴处的B和N原子在h-BN平面上重构为梯形.三种空位缺陷都使h-BN的带隙类型从直接带隙转变为间接带隙. VB体系的总磁矩为1.0μB,磁矩全部由N原子贡献.其中空穴周围的三个N原子磁矩方向不完全一致,存在着铁磁性和反铁磁性两种耦合方式.对于VN体系,整个晶胞内的总磁矩也为1.0μB,磁矩在空穴周围区域呈现一定的分布.

关键词：空位 电子结构 磁性 

单位：湘潭大学材料与光电物理学院 微纳能源材料与器件湖南省重点实验室 湘潭411105 湘潭大学数学与计算科学学院 科学工程计算与数值仿真湖南省重点实验室 湘潭411105