摘要：采用气源分子束外延技术生长了GaAs／A1GaAs束缚态向连续态跃迁的太赫兹量子级联激光器材料，基于半绝缘等离子体波导工艺制作了太赫兹量子级联激光器．测量了激光器的发射光谱和功率．电流一电压关系曲线，研究了器件的激光特性．器件激射频率约2．95THz，脉冲模式下，最高工作温度为67K．连续波模式下，闽值电流密度最低为230A／cm2，最大光输出功率1．2mW,最高工作温度为30K．

关键词：太赫兹 量子级联激光器 分子束外延 波导 

单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所 中国科学院太赫兹固态技术重点实验室 上海200050