摘要：本文通过实验研究了0.8μm PD（Partially Depleted）SOI（Silicon-On-Insulator）p型Metal-oxidesemiconductor-feld-efect-Transistor（MOSFET）经过剂量率为50 rad（Si）/s的60Coγ射线辐照后的总剂量效应,分析了沟道长度对器件辐照效应的影响.研究结果表明：辐照总剂量相同时,短沟道器件的阈值电压负向漂移量比长沟道器件大,最大跨导退化的更加明显.通过亚阈值分离技术分析得到,氧化物陷阱电荷是引起阈值电压漂移的主要因素.与长沟道器件相比,短沟道器件辐照感生的界面陷阱电荷更多.

关键词：总剂量辐照 阈值电压漂移 跨导退化 界面陷阱电荷 

单位：西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071