摘要:在以前工作的基础上,进一步研究了SrTiO3(001)(STO)衬底上单层FeSe超导薄膜的分子束外延生长。首先,通过去离子水刻蚀、盐酸溶液腐蚀和纯氧气氛中退火等步骤,获得台阶有序、具有单一TiO2终止的原子级平整表面的STO衬底,这是前提条件。这个过程中酸的选择和退火过程中氧的流量是最为关键的因素。其次,在FeSe薄膜的分子束外延生长中,选择适当的Fe源和Se源束流以及衬底温度是关键因素。如选择适当,生长模式为step-flow生长,这时得到的FeSe薄膜将是原子级平整的。最后一步为退火,这个过程会增强FeSe薄膜结晶性以及它与SrTiO3衬底间的结合强度。
关键词:单层fese薄膜 高温超导 分子束外延
单位:北京邮电大学电子工程学院 北京100876 清华大学低维量子物理国家重点实验室 北京100084 中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室 北京100190
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