摘要：纳米硅结构使能带的带隙展宽，并形成准直接能带带隙结构．弯曲表面上的某些键合可以在带隙中产生局域电子态，计算表明：纳米硅弯曲表面上的Si-N，Si=O和Si-0-Si键合能够分别在带隙中2．02eV，1．78eV和2．03eV附近形成局域态子带，对应了实验光致荧光谱（PL）中605nm处的LN线、693nm处的L01线和604nm处的L02线特征发光．特别是，Si-Yb键合在纳米硅弯曲表面上可以将发光波长调控到光通信窗口，在1310nm到1600am范围形成LYb线特征发光．

关键词：纳米硅结构 弯曲表面效应 局域态 特征线 

单位：贵州大学 纳米光子物理研究所 贵阳550025 中国科学院地球化学矿床化学研究所国家重点实验室 贵阳550003