摘要：用密度泛函B3LYP／3-21G（d）方法，并利用周期边界条件，研究了C原子在不同位置掺杂的（n，n）型BN纳米管的结构与性质．揭示了几何结构特征、能量、稳定性和能带结构的变化规律．研究了C原子在B位或N位置分别掺杂的BN纳米管的模型（掺杂浓度x=1／（4n），n=3—9），部分B位掺杂管发生了变形，而所有N位掺杂管则几乎不变形，而且N位比B位的掺杂能更低（管更稳定），B位掺杂管的能隙为1．054—2．411eV，N掺杂管的能隙为0．252—1．207eV，所有掺杂管都是半导体，所有掺杂管都具有直接带隙．

关键词：掺杂 碳纳米管 周期边界条件 能带结构 

单位：西北工业大学理学院应用化学系 空间应用物理与化学教育部重点实验室 西安710072