摘要：通过Mn离子注入非故意掺杂GaN外延层制备了GaN：Mn薄膜，并研究了退火温度对GaN：Mn薄膜的微结构、光学及磁学特性的影响．对不同退火温度处理后的GaN：Mn薄膜的拉曼谱测试显示，出现了由与离子注入相关的缺陷的局域振动（Lv）和（Ga，Mn）N中Mn离子的Lv引起的新的声子模．在GaN：Mn薄膜的光致发光谱中观察到位于2．16，2．53和2．92eV处的三个新发光峰（带），其中位于2．16eV处的新发光带不能排除来自Mn相关辐射复合的贡献．对GaN：Mn薄膜的霍尔测试显示，退火处理后样品表现出n型体材料特征．对GaN：Mn薄膜的振动样品磁强计测试显示，GaN：Mn薄膜具有室温铁磁性，其强弱受Mn相关杂质带中参与调节磁相互作用的空穴浓度的影响．

关键词：mn掺杂gan 光致发光 室温铁磁性 退火 

单位：西安科技大学电气与控制工程学院 西安710054 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071