摘要：运用第一性原理赝势方法，对氮化硅新相（六方P6和P6＇相）的电子结构、光学性质和相变过程进行分析，研究能带结构、介电函数谱、反射谱和能量损失函数的变化机理．研究发现，β→P6→δ相变是可行的，在室温下β→P6和P6→δ相变的临界压强分别为42．9和47．7GPa；相界的斜率为正值表明P6→δ相变过程伴随着晶胞体积的塌缩：P6和P6’相分别属于直接带隙和间接带隙半导体，能隙宽度分别为4．98和4．01eV；得到了两相的零频介电常数；反射谱表明，两相的强反射峰均位于真空紫外线区域，因此可以用作紫外光屏蔽或紫外探测材料；在可见光区域，两相表现为近似透明．

关键词：密度泛函理论 氮化物 光学性质 能带 

单位：信阳师范学院物理电子工程学院 信阳464000