摘要：本文采用能量为1MeV的中子对SiN钝化的AlGaN／GaNHEMT（高电子迁移率晶体管）器件进行了最高注量为10^15cm -2的辐照．实验发现：当注量小于10^14cm-2时，器件特性退化很小，其中栅电流有轻微变化（正向栅电流打增加，反向栅电流垴减小），随着中子注量上升，嵋迅速降低．而当注量达到10^15cm -2时，在膝点电压附近，器件跨导有所下降．此外，中子辐照后，器件欧姆接触的方块电阻退化很小，而肖特基特性退化却相对明显．通过分析发现辐照在SiN钝化层中引入的感生缺陷引起了膝点电压附近漏电流和反向栅泄漏电流的减小．以上结果也表明，SiN钝化可以有效地抑制中子辐照感生表面态电荷，从而屏蔽了绝大部分的中子辐照影响．这也证明SiN钝化的AlGaN／GaNHEMT器件很适合在太空等需要抗位移损伤的环境中应用．

关键词：algan gan hemt 中子辐照 缺陷 

单位：长安大学电子与控制工程学院 西安710064 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071