摘要：用345 keV的Kr15＋和340 keV的Kr17＋离子以45fi角入射n型GaAs单晶（100）面,测量了表面形貌的变化和发射的375—500 nm Ga I和Kr II的特征光谱线.Krq＋（q=15,17）离子轰击后表面形貌的变化主要取决于入射离子的电荷态q.离子沉积到靶表面的能量引起Ga原子激发,其辐射光谱为Ga I 403.2 nm和Ga I 417.0 nm.入射离子中性化过程中俘获GaAs导带电子形成高激发态原子,通过级联退激填充3p,4d等空穴,P壳层电子跃迁发射谱线为Kr II 410.0 nm,Kr II 430.4 nm,Kr II 434.0 nm和Kr II 486.0 nm,Kr II486.0 nm为较强谱线.实验结果表明,入射离子与GaAs单晶相互作用发射的可见光产额与入射离子的电荷态密切相关,较高电荷态Kr17＋离子入射产生的光辐射产额大约为Kr15＋离子的两倍.

关键词：表面形貌 光谱 高激发态 

单位：中国科学院近代物理研究所 兰州730000 中国科学院大学 北京100049