摘要：采用电子束沉积方法,以钛酸锶（SrTiO3）为衬底制备铌（Nb）掺杂TiO2薄膜并研究后续H2气氛退火处理对其薄膜样品光电性能的影响.结果发现H2气氛热退火处理能有效改善Nb掺杂TiO2薄膜的导电率,最佳电阻率达到5.46×10^-3Ω·cm,在可见光范围内的透光率为60%-80%.导电性能的改善与H2气氛退火处理后多晶薄膜的晶粒尺寸变大和大量的氧空位形成及H原子掺杂有关.

关键词：nb掺杂tio2 电子束沉积 退火 薄膜 tio2 

单位：华南师范大学 光电子材料与技术研究所 广州 510631