摘要：采用基于密度泛函理论的第一性原理计算，研究了P掺杂对单壁扶手型硅纳米管电子结构和光学性质的影响。结果表明：经过P掺杂，单壁扶手型硅纳米管的能带结构从间接带隙变为直接带隙，其价带顶主要由Si-3p态电子构成，导带底主要由Si-3p态电子和Si-3s态电子共同决定；同时通过P掺杂，使单壁扶手型硅纳米管的禁带宽度变窄，导电性增强，吸收光谱产生红移。研究结果为硅纳米管在光电器件方面的应用提供了理论基础。

关键词：第一性原理 硅纳米管 电子结构 光学性质 

单位：湖北民族学院电气工程系 恩施 445000 华中科技大学 光学与电子信息学院武汉光电国家重点实验室 武汉430074