摘要：提出了一种双外延高能离子注入的单片集成有源像素探测器的传感器结构，以提升传感器对电荷的收集性能和辐射加固，并进行了三维工艺模拟和物理级器件仿真计算．研究结果表明，所提出的传感器结构改善了内部电场和电势的分布，且目标电极的电荷收集效率提高70％，电荷收集时间减少64％．此外，当等效中子辐射流通量在10^12-10^15cm^-2范围内时，所提出的传感器结构比标准传感器结构有更高的电荷收集能力．

关键词：单片集成有缘像素传感器 探测器 电荷收集 高能离子注入 

单位：哈尔滨工程大学信息与通信工程学院 哈尔滨150001 中国科学院微电子研究所 北京100029