摘要：利用离子注入掺杂技术设计、制作半导体集成器件时，了解离子注入半导体材料的射程分布和横向离散规律等是很重要的．用200～500k百V能量的铒（Er）离子注入SOI（silicon-on-insulator，绝缘体上的硅）样品中，利用卢瑟福背散射（RBS）技术研究了剂量为2×10^15 cm-2的Er离子注入SOI的平均投影射程Rp和射程离散△Rp，把测出的实验值和SRIM软件得到的理论计算值进行了比较，发现平均投影射程Rp的实验值跟理论计算值符合较好，射程离散AR，的实验值和理论计算值差别大一些．

关键词：离子注入 绝缘体上si 投影射程和射程离散 卢瑟福背散射技术 

单位：山东建筑大学理学院 济南250101