摘要：Na2Ge2Se5是一种优异的红外非线性晶体材料.采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法对Na2Ge2Se5进行结构优化,并以此为基础计算研究了Na2Ge2Se5的电子结构和光学性质.结果表明：Na2Ge2Se5是宽禁带间接带隙半导体,价带至导带的电子跃迁主要来自于Ge和Se的4s,4p态； Na对光学性质的贡献较小, Ge 和Se之间的相互耦合作用决定了Na2 Ge2 Se5的光学性质；该晶体在紫外区有强烈的反射和吸收,静态折射率为2.133,双折射率值适中,为0.145.理论计算结果表明, Na2Ge2Se5是一种性能优良的红外非线性光学晶体材料.

关键词：na2ge2se5 电子结构 光学性质 第一性原理 

单位：中国科学院安徽光学精密机械研究所 合肥230031 中国科学院大学 北京100049