摘要：采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,在相同环境条件下对不同浓度Ge掺杂的InI导电性能进行了研究.建立了由不同浓度的Ge原子替代In原子的In1-xGexI（x=0,0.125,0.25）模型.对低温下高掺杂Ge原子的In1-xGexI半导体的优化参数、总态密度、能带结构进行了计算.结果表明：Ge的掺入使In1-xGexI材料的体积减小,总能量升高,稳定性降低;Ge原子浓度越大,进入导带的相对电子数量越多,In1-xGexI电子迁移率减小,电阻率增大,同时最小光学带隙也增大,有利于改善体系的核探测性能.

关键词：ge高掺杂ini 电阻率 第一性原理 

单位：燕山大学信息科学与工程学院 河北省特种光纤与光纤传感重点实验室 秦皇岛066004