摘要：采用从头算的单双取代的二次组态相互作用方法及耦合簇理论对Si F2自由基的基态进行结构优化,发现用单双取代的二次组态相互作用方法配有基组6-311G（2df）计算得到的结构参数、谐振频率、离解能及力常数与实验值最接近并优于文献值.借助多体项展式理论导出Si F2自由基的势能函数并绘制了等值势能图.Si F2自由基对称伸缩振动和旋转势能图显示：在Si F＋F→Si F2反应通道上有鞍点出现,F原子需要越过4.38 e V的能垒才能生成稳定的Si F2自由基;只能通过Si F＋F→Si F2两个等价的通道才能生成稳定的Si F2自由基,并且该反应是有阈能的吸热反应.

关键词：si f2 从头算 势能曲线 

单位：商丘师范学院物理与电气信息学院 商丘476000