摘要：通过基于密度泛函理论的第一性原理计算，对光催化水解半导体Ag2 ZnSnS4的改性方案做了理论研究。在与同类化合物的带边位置比较后发现， Cu与Ge共掺杂能够在Ag2 ZnSnS4中实现禁带宽度和带边位置的双重调节，从而使其能带结构优化到光催化水解最为理想的状态。另外， CuGaSe2可与Ag2 ZnSnS4形成type-II型带阶结构，制备它们的异质结同样可用于提升其光催化水解性能。

关键词：光催化半导体 ag2znsns4 带阶 电子结构优化 

单位：湖南文理学院物理与电子科学学院 常德415000 广西高校新能源材料及相关技术重点实验室 广西大学物理科学与工程技术学院 南宁530004