摘要：运用第一性原理方法，计算了B，P两种元素单掺杂和共掺杂的β-Si3N4材料的电子结构和光学性质．结果表明：B掺杂体系的稳定性更高，而P掺杂体系的离子性更强；单掺和共掺杂均窄化带隙，且共掺在禁带中引入深能级，使局域态增强；单掺杂体系介电函数虚部、吸收谱和能量损失谱各峰均发生红移、幅值减小，而共掺后介电函数虚部主峰出现蓝移、能量损失峰展宽、高能区电子跃迁大大增强，且控制共掺杂的B，P比例可获得较低的带电缺陷浓度．

关键词：掺杂 第一性原理 光电性质 

单位：太原理工大学 新型传感器与智能控制教育部和山西省重点实验室 信息工程学院微纳系统研究中心 太原030024 太原理工大学物理与光电工程学院 太原030024