摘要：本文采用基于速率理论的模拟方法研究钨材料中氢同位素氘的热脱附谱.热脱附数据来源于520 K下受等离子体辐照的多晶钨,入射离子能量为40 eV,剂量为1×10^26D/m^2.通过调节速率理论中的俘获能、俘获率等参数,最终获得与实验相符合的热脱附拟合谱.拟合结果表明,钨中俘获的氘存在于三种俘获态,俘获能分别为1.14 eV,1.40 eV和1.70 eV,相应脱附温度峰值为500 K,600 K和730 K.这三个俘获能分别应对应于第一原理计算得到的空位俘获第3—5个氢原子的俘获能（含零点振动能修正）、空位俘获第1—2个氢原子的俘获能,空位团簇对氢原子的俘获能.模拟结果表明,在本辐照实验条件下,钨中空位及空位团簇是氘在钨中的主要俘获态.

关键词：氢同位素 热脱附谱 速率理论 

单位：北京航空航天大学 物理科学与核能工程学院 北京100191