摘要：基于共轭聚合物光电器件的性能与聚合物的表面形貌、分子取向、以及与金属电极形成的界面结构密切相关.本文利用原子力显微镜（AFM）、同步辐射光电子能谱（SRPES）和近边X射线吸收精细结构谱（NEXAFS）等,研究了聚（9,9-二辛基芴并苯噻二唑）（F8BT）薄膜的表面形貌、分子取向及其与Al电极形成界面过程的结构变化.结果表明,在略低于F8BT玻璃转变温度（Tg=130℃）条件下对F8BT薄膜进行退火,可明显增加薄膜的表面粗糙度,薄膜中F8BT的分子取向角约为49,9,9-二辛基芴单元（F8）与苯噻唑单元（BT）几乎在同一平面.在Al/F8BT界面形成过程中,Al与F8BT中的C,N和S均发生不同程度的化学反应,并导致价带结构和未占据分子轨道（LUMO）态密度的变化.Al对F8BT进行n型掺杂引起F8BT能带弯曲的同时,未占据能级被部分占据,更多的电子将被注入到LUMO＋1中.通过考察价带电子结构、芯能级位移及二次截止边的变化,绘制了清晰的Al/F8BT界面能级图.

关键词：f8bt 表面形貌 同步辐射光电子能谱 近边x射线吸收精细结构谱 

单位：中国科学技术大学国家同步辐射实验室 合肥230029 台湾同步辐射研究中心 新竹30076