摘要：本文采用双靶（ZnSb靶和Ge2Sb2Te5靶）共溅射制备了系列ZnSb掺杂的Ge2Sb2Te5（GST）薄膜.利用X射线衍射、透射电子显微镜、原位等温/变温电阻测量、X射线光电子能谱等测试研究了薄膜样品的非晶形态、电学及原子成键特性.利用等温原位电阻测试表明ZnSb掺杂的Ge2Sb2Te5薄膜具有更高的结晶温度.采用Arrhenius公式计算发现ZnSb掺杂的Ge2Sb2Te5薄膜的十年数据保持温度均高于传统的Ge2Sb2Te5薄膜的88.9℃.薄膜在200,250,300和350℃下退火后的X射线衍射图谱表明ZnSb的掺杂抑制了Ge2Sb2Te5薄膜从fcc态到hex态的转变.通过对薄膜的光电子能谱和透射电镜分析可知Zn,Sb,Te原子之间键进行重组,形成Zn-Sb和Zn-Te键,且构成非晶物质存在于晶体周围.采用相变静态检测仪测试样品的相变行为发现ZnSb掺杂的Ge2Sb2Te5薄膜具有更快的结晶速度.特别是（ZnSb）24.3（Ge2Sb2Te5）75.7薄膜,其结晶温度达到250℃,十年数据保持温度达到130.1℃,并且在70 mW激光脉冲功率下晶化时间仅-64 ns,远快于传统Ge2Sb2Te5薄膜的晶化时间-280 ns.以上结果表明（ZnSb）24.3（Ge2Sb2Te5）75.7薄膜是一种热稳定性好且结晶速度快的相变存储材料.

关键词：相变材料 热稳定性 结晶速度 激光诱导 

单位：宁波大学高等技术研究院 宁波315211 宁波大学信息科学与工程学院 宁波315211