摘要：本文简要综述了硅基Ⅲ-Ⅴ族量子点激光器的研究进展.在介绍了量子点激光器的优势和发展后,重点介绍了近年来硅基、锗基Ⅲ-Ⅴ族量子点材料生长上的突破性进展及所带来的器件性能的大幅提高,如实现了锗基和硅基1.3μm InAs/GaAs量子点激光器的室温激射,锗基量子点激光器的阈值电流低至55.2 A/cm~2并可达60℃以上的连续激射,通过锗硅虚拟衬底,在硅基上实现了30℃下以16.6 mW的输出功率达到4600 h的激光寿命,这些突破性的进展为硅基光电子集成打开了新的大门.

关键词：半导体激光 激光材料 集成光学 光电子器件 

单位：中国科学院物理研究所 北京100190 Department of Electrical and Electronic Engineering University College London Torrington Place London UK