摘要：高迁移率Ge沟道器件由于其较高而且更对称的载流子迁移率,成为未来互补型金属-氧化物-半导体（CMOS）器件极有潜力的候选材料.然而,对于Ge基MOS器件,其栅、源漏方面面临的挑战严重影响了Ge基MOS器件性能的提升,尤其是Ge NMOS器件.本文重点分析了Ge基器件在栅、源漏方面面临的问题,综述了国内外研究者们提出的不同解决方案,在此基础上提出了新的技术方案.研究结果为Ge基MOS器件性能的进一步提升奠定了基础.

关键词：高迁移率沟道 栅工程 源漏工程 

单位：北京大学微纳电子学研究院 微电子器件与电路教育部重点实验室 北京100871