摘要：基于准玻色方法,利用平均场理论解析求解了环境作用下双光子过程耦合腔阵列体系的哈密顿量,得到了体系序参量的解析表达式,并讨论了耗散对体系超（流-M）ott绝缘相变的影响.研究结果表明：双光子共振′情况下系统重铸相干的腔间耦合率临界值为ZJ/β=（ZJ/β）＇_c=0.34;双光子相互作用过程比单光子过程具有更大的耗散率,系统维持长程相干状态的时间更短,而实现重铸相干的腔间耦合率的临界值更大.

关键词：双光子过程 耦合腔阵列 准玻色子 

单位：兰州大学理论物理研究所 兰州730000