摘要：采用真空热压技术将电磁感应加热-自悬浮定向流法制备的铝纳米粉末压制成块体样品.通过X射线衍射、透射电子显微镜、扫描电子显微镜及X射线能谱分析了铝纳米晶的微观结构,并用四探针法测量了不同温度下（8—300 K）样品的电阻率,研究了铝纳米晶的电阻率（ρ）随温度的变化规律.结果表明：由于晶界（非晶氧化铝）对电子的散射以及晶界声子对电子的散射效应,低温（〈40 K）下,铝纳米晶的本征电阻率随温度变化关系明显不同于粗晶铝,不仅呈现出T~4变化,还表现出显著的T3变化规律.因晶界等缺陷和非晶氧化铝杂质对电子的散射,铝纳米晶残余电阻率比粗晶铝电阻率大5—6个数量级.

关键词：铝纳米晶 电阻率 晶界 

单位：西南科技大学材料科学与工程学院; 绵阳621010; 中国工程物理研究院激光聚变研究中心; 绵阳621900