摘要：目前半导体锗在吸收边附近（1550 nm）的压力-折射率系数在实验和理论上并未研究清楚。本文通过测量在不同压力下镀在光纤端面的高结晶度锗薄膜的反射率，来计算得到锗在吸收边附近的压力-折射率系数。本文的实验结果显示，锗在吸收边附近出现反常色散现象，即折射率随能量变化呈正相关，并且其压力-折射率系数出现反常，为正值，这是由于多晶结构中的激子吸收所引起。通过引入描述激子色散的临界点模型，得到锗在吸收边附近的反常色散范围和压力-折射率系数呈正值的范围。本文的结果将有助于基于锗薄膜的通信C波段光学器件的研究。

关键词：半导体 锗 折射率 压力 

单位：武汉理工大学物理系; 武汉430070