摘要：通过设计高效率808 nm非对称宽波导外延结构,减少P型波导层和包层的自由载流子光吸收,实现腔内光吸收损耗为0.63 cm -1.制备的808 nm半导体激光器阵列在室温25℃下,实现驱动电流135 A,工作电压1.76 V,连续输出功率大于150 W,斜率效率高达1.25 W/A,中心波长809.3 nm,器件最高电光转换效率为65.5%,这是目前国内报道的808 nm半导体激光器阵列的最高电光转换效率,达到国际同类器件最好水平.

关键词：半导体激光器阵列 电光转换效率 光吸收损耗 非对称宽波导结构 

单位：中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室; 西安710119; 西安立芯光电科技有限公司; 西安710077