摘要：提出了一种利用p-n＋结反向I-V特性随偏压变化的关系计算P—GaN载流子浓度的方法，研究发现，当p-n＋中的p-GaN层没有完全耗尽时，反向电流比较小，属于正常的p-n结电流特性，当反向偏压增加到一定值时，p-GaN层就完全耗尽，p-n＋结特性就变成了肖特基结特性，反向电流显著增加．找到达到稳定反向电流的临界电压值，就可以计算出p-GaN的载流子浓度．模拟结果验证了这个思想，计算得到的p-GaN载流子浓度与设定值基本一致．

关键词：反向 

单位：中国农业大学理学院应用物理系; 北京100083; 中国科学院半导体研究所; 集成光电子学国家重点实验室; 北京100083