摘要：提高808 nm大功率半导体激光器电光转换效率具有重要的学术意义和商业价值,是实现器件小型化、轻量化、高可靠性的必要前提.本文以腔长1.5 mm的传导冷却封装808 nm半导体激光阵列为研究对象,在热沉温度-40—25℃范围内对其进行光电特性测试,对不同温度下电光转换效率的影响因子进行了实验研究和理论分析.结果表明：在-40℃环境温度下,最高电光转换效率从室温25？C时的56.7%提高至66.8%,内量子效率高达96.3%,载流子泄漏损耗的占比贡献由16.6%下降至3.1%.该研究对实现808 nm高效率半导体激光芯片的自主研发具有重要意义.

关键词：半导体激光芯片 电光转换效率 温度 

单位：中国科学院西安光学精密机械研究所; 瞬态光学与光子技术国家重点实验室; 西安710119; 中国科学院大学; 北京100049; 西安立芯光电科技有限公司; 西安710077